BUK9Y7R2-60E是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PowerTrench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
这款MOSFET的最大额定电压为60V,适用于中低压环境下的功率转换和控制电路。其封装形式通常为TO-220或DPAK,便于散热和安装。
最大漏源极电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻:2.4mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:47nC(典型值)
开关时间:ton=15ns,toff=20ns(典型值)
工作结温范围:-55℃至+175℃
BUK9Y7R2-60E具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高效的开关性能,栅极电荷小,有助于实现快速开关。
3. 强大的电流处理能力,支持高达18A的连续漏极电流。
4. 宽温度范围操作,适应极端环境条件。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 采用先进的PowerTrench工艺,优化了芯片面积与性能之间的平衡。
BUK9Y7R2-60E广泛应用于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统中的负载切换开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的各类功率管理应用,如电动窗、座椅调节等。
FDP15N60,
IRF640,
STP18NF60