时间：2025/5/12 10:24:45
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1210N682G500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效能的应用场景。该器件采用常关型设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于电源转换、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高性能功率处理的领域。
由于其氮化镓材料特性，1210N682G500CT 可以在较高的频率下工作，同时保持较低的能量损耗，这使其成为传统硅基功率晶体管的升级替代方案。
型号：1210N682G500CT
类型：增强型HEMT
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：24A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：90nC
反向传输电容：350pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1210N682G500CT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：高达650V的漏源电压，确保在高压应用中的可靠性。
2. 极低的导通电阻：35mΩ的低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关能力：由于氮化镓材料的独特属性，开关速度远高于传统的硅MOSFET，支持更高的工作频率。
4. 增强型结构：常关型设计更符合工业标准的安全要求。
5. 热性能优越：能够在高温环境下稳定运行，适合严苛的工作条件。
6. 高效率：降低开关损耗和传导损耗，提升整体系统效率。
1210N682G500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- AC-DC适配器
- 数据中心电源
- 服务器电源
2. DC-DC转换器：
- 汽车电子系统
- 工业自动化设备
3. 电机驱动：
- 无人机
- 电动工具
- 家用电器
4. 光伏逆变器：
- 分布式发电系统
- 微型逆变器
5. 无线充电：
- 高效功率传输解决方案
6. 能量存储系统：
- 锂电池管理系统
- 不间断电源（UPS）
1206N652G500CT
1208N651G500CT
