时间：2025/9/14 14:50:36
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BUK9Y53-100B,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率开关应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统以及工业控制电路等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：最大5.3mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220AB
安装方式：通孔安装
BUK9Y53-100B,115 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)最大值仅为5.3mΩ，使其在高电流应用中表现优异。
此外，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压额定值为100V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于多种电源转换系统。其最大连续漏极电流为30A，在散热良好的情况下能够支持高功率负载。
该器件采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合工业级应用。TO-220封装广泛用于功率电子设备中，具备良好的绝缘性能和易于安装的特点。
BUK9Y53-100B,115 还具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高温度环境下正常运行。其工作温度范围从-55℃到175℃，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
此外，该MOSFET具备高栅极击穿电压（±20V），提高了栅极控制电路的设计灵活性，并降低了栅极驱动电路发生击穿的风险。
BUK9Y53-100B,115 主要应用于需要高效功率开关的场合。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理系统、电池充电器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于高效率的开关电源（SMPS）设计中。在汽车电子系统中，例如车载充电系统、电动工具以及车载逆变器等应用中，BUK9Y53-100B,115 也具有广泛的应用空间。
此外，该MOSFET还可用于高边和低边开关电路，支持多种拓扑结构如Buck、Boost、Half-Bridge和Full-Bridge等。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件也能够作为关键的功率开关元件使用。
IRF1405, STP30NF10, FDPF14N10A
