时间：2025/9/14 13:41:15
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BUK9Y41-80E,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型MOSFET。这款MOSFET采用先进的Trench技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于各种电源管理和功率转换应用。该器件的封装形式为TO-220，便于散热并适合于多种电路板布局。BUK9Y41-80E,115以其出色的性能和可靠性广泛应用于汽车电子、工业控制、电源适配器以及电动工具等领域。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：80V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：4.1mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：200W
BUK9Y41-80E,115具有多项显著的技术特性，使其在各种高功率应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为4.1mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。在高电流应用中，这种低电阻特性尤为重要，因为它可以降低功率损耗并减少发热。
其次，该MOSFET的最大漏源电压为80V，最大连续漏极电流可达180A，适用于需要高电压和大电流操作的场合。栅源电压范围为±20V，确保了栅极控制的稳定性，同时具备较高的抗干扰能力。
此外，BUK9Y41-80E,115采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在高功率环境下保持稳定运行。该封装还具备较高的机械强度和热稳定性，适用于严苛的工作环境。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于宽温度范围的应用场景，如汽车电子系统、工业自动化设备等。其高可靠性确保在恶劣条件下依然能够稳定运行。
最后，该MOSFET具有较高的功率耗散能力，达到200W，适合高功率密度设计。这使得该器件在紧凑型电源系统中也能发挥出色性能。
BUK9Y41-80E,115广泛应用于多个高功率电子系统中，特别适合汽车电子和工业控制领域。
在汽车电子方面，该MOSFET常用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器、DC-DC转换器以及电动车辆的电机控制系统。其高电流承载能力和优异的热稳定性使其在汽车电源管理中表现卓越。
在工业控制领域，该器件可用于变频器、伺服电机驱动器、不间断电源（UPS）以及工业电源模块。其低导通电阻和高效率特性有助于提升整体系统性能并降低能耗。
此外，BUK9Y41-80E,115也适用于电源适配器、电池管理系统（BMS）和智能电网设备等应用。其高功率处理能力和宽温度范围使其适应各种复杂的工作环境。
由于其高可靠性和优异的电气性能，BUK9Y41-80E,115也常用于电动工具、太阳能逆变器和储能系统中，为这些设备提供高效的功率控制解决方案。
IRF1405, STD180N8F7AG, IPB180N08N3 G1KSA1
