BUK9Y3R5-40E是来自安森美(onsemi)的一款N沟道功率MOSFET,采用先进的制造工艺设计,具备低导通电阻和高开关速度的特性。该器件适用于各种电源管理应用,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和逆变器等场景。其出色的性能使得它成为高性能开关应用的理想选择。
型号:BUK9Y3R5-40E
类型:N沟道功率MOSFET
封装:TO-Lead (TOLL)
Vds(漏源电压):40V
Rds(on)(导通电阻):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):218A
Ptot(总功耗):260W
fSW(最大工作频率):1MHz
Vgs(栅源电压):±20V
Tj(结温范围):-55℃至175℃
BUK9Y3R5-40E具有非常低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高效率。同时,它的快速开关能力使其适合高频应用,可以有效降低开关损耗。
该器件还具备良好的热性能,采用TOLL封装能够提供更高的散热效率,从而在高温环境下保持稳定运行。
此外,这款MOSFET支持高达175℃的结温,确保了其在极端条件下的可靠性。整体来看,BUK9Y3R5-40E是一款高效、可靠且适应多种应用场景的功率MOSFET。
BUK9Y3R5-40E广泛应用于需要高效功率转换和开关的领域,包括但不限于以下方面:
1. 电动车辆中的电机驱动电路。
2. 高效DC-DC转换器及降压/升压模块。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 通信基础设施中的电源解决方案。
6. 消费电子产品的适配器与充电器。
由于其优异的电气特性和热管理能力,BUK9Y3R5-40E能够在这些应用中实现卓越的性能表现。
BUK9Y3R6-40E