类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：200A（Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大3.1mΩ（在VGS=10V）
　　封装形式：PowerSO-10
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　功耗（Ptot）：100W

BUK9Y3R0-40E115具备多个优异的电气特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流下的低功耗和高效率，减少了发热并提高了系统的整体能效。其次，该器件的高耐压能力（40V VDS）使其适用于多种中高压功率转换场景。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的工作温度上限（最高175°C），适合在高温环境下运行，提高了系统的可靠性。
　　该器件采用PowerSO-10封装，具有良好的散热性能和紧凑的设计，适合空间受限的电路板布局。同时，其高达200A的连续漏极电流能力，使其在大功率负载开关、电机驱动和电池管理系统中具有广泛应用。栅极驱动电压范围宽（±20V），允许使用标准的MOSFET驱动电路，兼容性强。
　　此外，BUK9Y3R0-40E115还具备快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。该器件的雪崩能量能力（Avalanche Energy Rating）也较高，能够承受一定的过压冲击，增强了在突发工况下的耐用性。

BUK9Y3R0-40E115适用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统。例如，在电源管理领域，该MOSFET可作为同步整流器或主开关，用于DC-DC降压或升压转换器，提高转换效率。在电机控制系统中，它可以用于H桥结构，实现高效、高速的电机驱动。在电池管理系统中，该器件可以作为负载开关，控制高电流的充放电路径。此外，该器件还可用于工业自动化设备、汽车电子（如车载充电器、电动助力转向系统）以及高功率LED照明驱动电路中。
　　由于其优异的热性能和高电流能力，BUK9Y3R0-40E115也常用于服务器和通信设备的电源模块中，支持高密度和高可靠性设计。在新能源领域，例如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也可用于功率调节和能量转换环节。

SiR142DP, BSC090N04LS G, IPB09CN0410-1