时间：2025/9/15 0:54:41
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BUK9Y29-40E,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高效率的开关应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高频率下高效运行。该型号的封装形式为 TO-220，便于散热并适合多种电源管理应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：100A
功耗（Ptot）：150W
导通电阻 Rds(on)：最大 2.9mΩ（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
技术：Trench MOSFET
BUK9Y29-40E,115 具有多个显著的技术特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的 Trench MOSFET 技术，提供更高的单位面积电流承载能力，同时降低了开关损耗。
其次，该MOSFET具有较高的热稳定性和良好的散热性能，得益于其TO-220封装设计，能够有效散发工作过程中产生的热量，确保在高负载条件下的稳定运行。这使得BUK9Y29-40E非常适合用于高功率密度设计。
再次，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V的栅极驱动电压，允许在多种控制电路中灵活使用。同时，其快速开关特性有助于降低开关损耗，在高频电源转换器中表现出色。
最后，BUK9Y29-40E具备良好的短路耐受能力和过载保护特性，适用于电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具、汽车电子等对可靠性要求较高的应用环境。
BUK9Y29-40E,115 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、同步整流电路以及高效率电源模块，其低Rds(on)特性可显著提升系统效率。在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET被用于H桥驱动电路和电机驱动模块，以实现高效的双向电流控制。
此外，该器件在电动工具、无刷直流电机（BLDC）控制器和电池管理系统（BMS）中也具有广泛应用。其高电流承载能力和优异的热性能使其成为电池供电设备中理想的功率开关元件。
在汽车电子领域，BUK9Y29-40E也常用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块，满足汽车环境中对可靠性和稳定性的严苛要求。
Si4410DY, IRF1405, FDP3632, BSC030N04LS
