BUK9Y22-100E 时间：2025/9/15 2:45:51 阅读：31

BUK9Y22-100E 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效率，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）@ 25°C：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：11.5mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：130nC
　　功率耗散（Ptot）：250W
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

BUK9Y22-100E 的核心优势在于其卓越的导通性能和开关特性。它采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使导通电阻（RDS(on)）非常低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，在 25°C 环境温度下可提供高达 100A 的漏极电流，适合用于高功率密度设计。其 TO-263（D2PAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装技术，适用于自动化生产和紧凑型 PCB 设计。该 MOSFET 的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的能效。同时，其热稳定性优异，能够在高温环境下保持稳定的性能。
　　BUK9Y22-100E 的另一个显著特点是其高耐用性和可靠性。该器件具有较高的雪崩能量承受能力，能够应对突发的电压和电流冲击，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统等苛刻应用环境。此外，其封装设计具有良好的绝缘性能，确保在高电压应用中的安全性和稳定性。

应用

BUK9Y22-100E 被广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在电动汽车充电系统、太阳能逆变器和储能系统中也有重要应用。其表面贴装封装也使其适用于自动化生产流程和紧凑型电子产品设计。