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W2L14D225MAT1A 发布时间 时间:2025/6/5 20:11:15 查看 阅读:7

W2L14D225MAT1A 是一款高性能的功率 MOSFET,属于 Wolfspeed(原 Cree)公司的碳化硅 (SiC) 基器件。该型号采用 TO-247 封装形式,主要应用于高频开关电源、逆变器和电机驱动等领域。由于其优异的性能表现,包括低导通电阻、高效率以及耐高温能力,使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代品。
  Wolfspeed 的 SiC MOSFET 技术显著提升了功率转换系统的整体效率和功率密度,同时降低了系统成本和复杂性。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:80mΩ
  栅极电荷:110nC
  开关频率:高达 1MHz
  结温范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-247

特性

W2L14D225MAT1A 具有以下显著特性:
  1. 高电压操作能力,额定电压为 1200V,适用于高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 80mΩ,在高电流应用中可显著降低传导损耗。
  3. 快速开关速度,支持高达 1MHz 的开关频率,从而减小无源元件体积并提升系统功率密度。
  4. 高温工作能力,最高结温可达 175°C,适合严苛的工作条件。
  5. 内置反向恢复二极管,简化电路设计并减少额外元件使用。
  6. 碳化硅材料具备更高的热导率和电子迁移率,提供卓越的电气和热性能。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

W2L14D225MAT1A 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源和不间断电源 (UPS) 中的功率转换模块。
  2. 太阳能逆变器和风力发电系统中的 DC/DC 和 DC/AC 转换。
  3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器和牵引逆变器。
  4. 电机驱动和变频器控制单元。
  5. 高频 DC/DC 变换器和其他需要高效功率管理的设备。
  这款 SiC MOSFET 的高效率和紧凑设计非常适合需要高功率密度和低损耗的应用场景。

替代型号

W2L14D225MAT1G, C2M0080120D

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W2L14D225MAT1A参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列IDC
  • 电容2.2µF
  • 电压 - 额定4V
  • 容差±20%
  • 温度系数X5R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 应用旁通,去耦
  • 额定值-
  • 封装/外壳0508(1220 公制)
  • 尺寸/尺寸0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.037"(0.95mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低 ESL 型(多端子)
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称478-4631-6