时间：2025/6/5 20:11:15
阅读：30
W2L14D225MAT1A 是一款高性能的功率 MOSFET，属于 Wolfspeed（原 Cree）公司的碳化硅 (SiC) 基器件。该型号采用 TO-247 封装形式，主要应用于高频开关电源、逆变器和电机驱动等领域。由于其优异的性能表现，包括低导通电阻、高效率以及耐高温能力，使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代品。
Wolfspeed 的 SiC MOSFET 技术显著提升了功率转换系统的整体效率和功率密度，同时降低了系统成本和复杂性。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：6A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：110nC
开关频率：高达 1MHz
结温范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-247
W2L14D225MAT1A 具有以下显著特性：
1. 高电压操作能力，额定电压为 1200V，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 80mΩ，在高电流应用中可显著降低传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高达 1MHz 的开关频率，从而减小无源元件体积并提升系统功率密度。
4. 高温工作能力，最高结温可达 175°C，适合严苛的工作条件。
5. 内置反向恢复二极管，简化电路设计并减少额外元件使用。
6. 碳化硅材料具备更高的热导率和电子迁移率，提供卓越的电气和热性能。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
W2L14D225MAT1A 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源和不间断电源 (UPS) 中的功率转换模块。
2. 太阳能逆变器和风力发电系统中的 DC/DC 和 DC/AC 转换。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器和牵引逆变器。
4. 电机驱动和变频器控制单元。
5. 高频 DC/DC 变换器和其他需要高效功率管理的设备。
这款 SiC MOSFET 的高效率和紧凑设计非常适合需要高功率密度和低损耗的应用场景。
W2L14D225MAT1G, C2M0080120D
