时间：2025/9/14 20:16:54
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BUK9Y22-100E,115 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的Trench肖特基技术，提供高效的导通性能和较低的导通损耗，适合用于DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：60A（在25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：14.8mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电压范围：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220
功率耗散：150W
BUK9Y22-100E,115 MOSFET具有多个显著特性，使其在功率应用中表现优异。
首先，该器件具有低导通电阻（RDS(on)），这降低了在高电流条件下的导通损耗，提高了系统的整体效率。14.8mΩ的最大导通电阻确保了在大电流应用中能够保持较低的压降，从而减少发热并提升可靠性。
其次，该MOSFET采用了Nexperia的Trench肖特基技术，结合了Trench MOSFET结构的低导通电阻和肖特基二极管的快速开关特性，进一步提升了器件的开关性能，减少了开关损耗。
此外，该器件的封装为标准的TO-220，便于散热和安装，适用于多种工业级应用。TO-220封装具备良好的热管理能力，能够有效将热量传导至散热片，确保器件在高负载下稳定运行。
该MOSFET的栅极电压范围为-20V至+20V，允许使用常见的10V或12V栅极驱动电路，兼容多种驱动器设计，增强了设计的灵活性。
最后，其宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）使得BUK9Y22-100E,115能够在极端环境条件下可靠工作，适用于汽车电子、工业自动化、通信设备等多种严苛应用场景。
BUK9Y22-100E,115 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、马达驱动器以及各种高电流开关电路。
在DC-DC转换器中，该MOSFET作为主开关器件，能够实现高效的电压转换，减少能量损耗并提高电源系统的稳定性。其低导通电阻和快速开关特性特别适合用于高频率开关应用，以减小电感和电容的尺寸，提高功率密度。
在电池管理系统中，该器件用于控制电池的充放电过程，确保系统在安全范围内运行。其高电流承载能力和优异的热稳定性使其成为电池保护电路的理想选择。
此外，BUK9Y22-100E,115 还广泛应用于工业自动化设备中的马达控制和电源管理模块，能够提供稳定的开关性能和可靠的长期运行保障。
IRF1405, STP60NF10, FDP6030AL, BUK9522-100A
