BUK9Y21-40E 是一款由安森美(onsemi)生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其典型应用包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等领域。
BUK9Y21-40E 的封装形式为 TO-263-3(D2PAK),便于散热设计,并支持表面贴装技术(SMD),非常适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:25A
导通电阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:65nC(典型值)
输入电容:2000pF(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
热阻(结到环境):40℃/W
BUK9Y21-40E 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力,增强了在异常情况下的鲁棒性。
4. 小尺寸封装,易于集成到紧凑型设计中。
5. 支持表面贴装,简化了自动化生产和组装流程。
6. 广泛的工作温度范围,适用于各种工业和汽车环境。
这些特点使 BUK9Y21-40E 成为高效能功率管理的理想选择。
BUK9Y21-40E 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器,如降压或升压拓扑结构。
3. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
4. 负载开关和保护电路,确保设备的安全运行。
5. 电池管理系统(BMS),用于电动汽车或便携式电子设备。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
该器件凭借其卓越的性能和可靠性,可满足多样化的需求。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5580
IXTN230N04T4