时间：2025/9/14 14:26:37
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BUK9Y15-60E,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高效率的功率转换应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：150A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.7mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9Y15-60E,115 具备多个显著特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有高雪崩能量承受能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性。
该器件采用了 NXP 的高性能 Trench 技术，使得其在高温环境下依然能保持稳定的性能。同时，其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的热管理能力，便于在 PCB 上安装和散热。该封装还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
BUK9Y15-60E,115 还具备良好的栅极电荷（Qg）特性，使其在高频开关应用中具有优势，降低了开关损耗并提高了响应速度。此外，其宽泛的工作温度范围使其适用于工业级和汽车级应用场景。
BUK9Y15-60E,115 广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。常见应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统（如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统）。
在电源管理系统中，该MOSFET常用于高侧或低侧开关，实现高效的功率传输和管理。在工业自动化和电机控制领域，其高电流承载能力和低导通损耗使其成为理想选择。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，BUK9Y15-60E,115 也被广泛采用。
由于其优异的热性能和封装设计，该器件也适用于需要高可靠性和长寿命的工业和汽车级应用，确保在恶劣工作环境下的稳定运行。
SiMOSFET SiSS15DN, Infineon OptiMOS 5 60V, STMicroelectronics STP150N6F6AG
