RSN313H25 时间：2025/8/6 19:16:20 阅读：20

RSN313H25 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于多种电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等优点。RSN313H25 采用高性能硅工艺制造，能够在高频率和高电流条件下稳定工作，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：30 A
　　最大漏极-源极电压 (VDS)：25 V
　　导通电阻 (RDS(on))：12 mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　栅极阈值电压 (VGS(th))：1.0 V ~ 2.5 V
　　最大功耗 (PD)：80 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HSON（热增强型表面贴装封装）

特性

RSN313H25 的主要特性包括低导通电阻，这使得器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。其导通电阻在 10V 栅极驱动电压下仅为 12 mΩ，有助于在高电流应用中保持较低的温升。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高电源转换效率。
　　该器件采用 HSON 封装，具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导到 PCB 板上，确保在高功率应用中的稳定性。RSN313H25 的工作温度范围广泛，支持从 -55°C 到 +150°C 的工业级温度操作，适用于各种严苛环境条件下的电子系统。
　　此外，RSN313H25 还具备较高的短路耐受能力和良好的抗静电性能，能够在突发负载或异常工作条件下保持稳定运行，降低系统故障率，提高可靠性。这些特性使其成为电源管理、汽车电子、工业控制和便携式设备中的理想选择。

应用

RSN313H25 主要用于需要高效能功率控制的电路中，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合用于高效率电源转换系统，例如服务器电源、通信设备电源、笔记本电脑适配器等。此外，该 MOSFET 在汽车电子领域中广泛应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路等场合。