时间：2025/9/14 7:39:39
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BUK9Y15-100E,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于中高功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于高性能功率转换系统。该型号采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：15 A
导通电阻（Rds(on)）：80 mΩ（典型值）
功率耗散（Ptot）：60 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
工艺技术：Trench MOS
BUK9Y15-100E,115 采用先进的 Trench MOS 工艺，具有极低的导通电阻（Rds(on)），在 10 V 栅极驱动电压下可实现典型值 80 mΩ 的导通电阻，显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持高达 15 A 的连续漏极电流，在高功率应用中表现出色。漏源耐压为 100 V，适用于中等电压范围的电源和电机控制系统。此外，其栅极电压范围为 ±20 V，具备良好的抗过压能力，增强了系统的稳定性和可靠性。
该器件的封装为 TO-220，具备良好的散热性能，适合在较高功率密度环境下使用。TO-220 封装还便于安装在散热片上，提高整体散热效率。BUK9Y15-100E,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种恶劣工作环境。该 MOSFET 还具备低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
其内部结构优化设计降低了电磁干扰（EMI），有助于满足各类电磁兼容性标准要求。此外，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在突变负载条件下的可靠性。在实际应用中，BUK9Y15-100E,115 可用于负载开关、H 桥电机驱动、电源转换模块等场景，具备优异的性能表现。
BUK9Y15-100E,115 广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效功率转换和高可靠性的场合。其典型应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电源管理系统、工业自动化控制电路以及电池供电设备中的功率开关。在电动汽车充电模块、光伏逆变器和 UPS 系统中，该 MOSFET 也可作为关键的功率开关元件，提供高效能和稳定的运行表现。此外，由于其低导通电阻和良好的热稳定性，该器件也适用于高频率开关应用，如 PWM 控制电路和高频变压器驱动电路。
IRFZ44N, FQP15N10L, BUZ11AP, STP15NF10L
