类型：MOSFET
　　沟道类型：N沟道
　　漏极-源极电压(Vds)：60V
　　漏极-源极导通电阻(Rds(on))：最大 22mΩ @ Vgs=10V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：最大 12A @ Tc=25°C
　　功率耗散(Pd)：最大 3.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT6

LBAR64-02T1G 具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高效率。该器件的低 Rds(on) 特性使其在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路中表现出色。此外，LBAR64-02T1G 的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。其高耐压能力（60V Vds）确保了在高压环境下的稳定运行。TSMT6 封装不仅节省空间，还具备良好的热性能，有助于散热。该 MOSFET 还具有较高的可靠性，适用于各种严苛的工作环境，包括高温和高湿度条件。
　　此外，LBAR64-02T1G 的设计使其在高频操作中表现出色，适合用于现代电力电子设备中的高速开关应用。其栅极驱动电压范围宽广（通常可支持 4.5V 至 20V），允许使用标准逻辑电平进行驱动，简化了驱动电路的设计。这种灵活性使得该器件在多种应用中都能轻松集成。由于其优异的性能参数和紧凑的封装设计，LBAR64-02T1G 成为了许多高性能电源管理应用的理想选择。

LBAR64-02T1G MOSFET 主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、LED 照明驱动器、工业自动化设备、消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）中的电源管理模块，以及汽车电子系统（如车载充电器和电池管理系统）。该器件的低导通电阻和高效率特性使其在需要高效能电源管理的场景中尤为适用。

SiSS64N10, FDS6680, IRF7413, FDV304P