时间：2025/9/14 20:51:11
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BUK9Y14-80E,115 是由Nexperia（原恩智浦半导体分拆出来的公司）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于多种高功率和高频率的应用场景。BUK9Y14-80E,115 采用标准的TO-220封装形式，便于在各种电子系统中进行安装和使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：14A
最大漏源电压：80V
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值）
栅极电压范围：±20V
功率耗散：100W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
BUK9Y14-80E,115 的主要特点之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的Rds(on)典型值为22毫欧，在高电流应用中能够显著减少发热。
此外，该MOSFET具有高达80V的漏源耐压能力，能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种高电压应用场景。
其栅极电压范围为±20V，确保了在各种驱动条件下都能稳定工作，同时具备良好的抗干扰能力。
由于采用TO-220封装，BUK9Y14-80E,115 具有优良的散热性能，可以在高功率条件下长时间运行而不出现过热现象。
这款MOSFET还具备良好的热稳定性和抗短路能力，适用于需要高可靠性的工业控制、电源管理和汽车电子系统。
BUK9Y14-80E,115 被广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它用于高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中，以提升整体效率并减少发热。
在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、变频器以及自动化设备中的高功率开关电路。
此外，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统等，满足汽车应用对高可靠性和高性能的要求。
在消费电子产品中，BUK9Y14-80E,115 也可用于高功率适配器、LED照明驱动器以及智能家电中的功率控制模块。
BUK9Y14-80E,115 可以替代的型号包括 IRFZ44N、STP14NK80Z、FDPF80N10等。在选择替代型号时，应确保其电气参数和封装形式与原型号匹配，以保证电路的正常运行。
