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Q2006DH3 发布时间 时间:2025/7/16 15:08:20 查看 阅读:13

Q2006DH3是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他需要高效功率控制的应用。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而显著降低了功耗并提高了系统的整体效率。

参数

类型:N沟道增强型
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大漏极电流Id:15A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ
  总栅极电荷Qg:35nC
  输入电容Ciss:1280pF
  输出电容Coss:98pF
  反向传输电容Crss:28pF
  结温范围Tj:-55℃至+150℃

特性

Q2006DH3采用了最新的沟槽式MOSFET技术,能够提供极低的导通电阻,从而减少了传导损耗。同时,其快速开关性能使其非常适合高频应用,减少开关损耗。
  此外,该器件还具有以下特点:
  1. 高效的热管理设计,确保在高功率应用中保持稳定运行。
  2. 强大的抗雪崩能力,增强了器件的可靠性。
  3. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子设备的需求。
  4. 小型封装选项,节省PCB空间,适合紧凑型设计。

应用

Q2006DH3广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 汽车电子中的负载切换
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块
  由于其出色的电气特性和可靠性,Q2006DH3成为众多高效率功率转换应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FDP5570N
  IXFH16N60

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Q2006DH3参数

  • 制造商Littelfuse
  • 产品种类双向可控硅
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM200 V
  • 开启状态 RMS 电流 (It RMS)6 A
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.01 mA
  • 栅触发电压 (Vgt)1.3 V
  • 栅触发电流 (Igt)10 mA
  • 保持电流(Ih 最大值)15 mA
  • 正向电压下降1.6 V
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 重复峰值正向闭塞电压200 V
  • 工厂包装数量500