时间：2025/9/14 4:52:14
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BUK9Y12-55B,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高可靠性的电源转换和功率管理应用。这款MOSFET属于N沟道增强型晶体管，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性。其封装形式为TO-220，适用于多种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
漏源极击穿电压（Vds）：55V
栅源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：250W
BUK9Y12-55B,115 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。该器件采用先进的沟槽技术，提供出色的热性能，能够在高负载条件下保持稳定工作。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在极端工作条件下的可靠性。
该器件的栅极设计优化，具有良好的抗干扰能力，同时支持快速开关操作，适用于高频开关电源应用。其高耐压特性（55V）使其适用于多种电源转换应用，包括DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关。
由于其优异的热管理性能，BUK9Y12-55B,115 在高电流负载下仍能保持较低的温度上升，从而延长了器件的使用寿命。此外，该MOSFET的封装设计便于安装和散热管理，适用于标准的PCB组装工艺。
BUK9Y12-55B,115 广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。其典型应用包括汽车电子系统（如电动助力转向系统、车载充电器和DC-DC转换器）、工业自动化设备（如电机驱动器和电源模块）、服务器和通信设备的电源系统，以及高功率电池供电设备。此外，它还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动工具和电动汽车的电源管理系统。
IRF1405, STP120NF55, FDP120N55F
