BUK9M85-60E 时间：2025/5/23 18:44:20 阅读：2

BUK9M85-60E 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263-3封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效能开关应用。其耐压为60V，广泛用于电机驱动、DC-DC转换器、电源管理以及负载切换等场景。
　　BUK9M85-60E的设计特别注重降低功耗和提高系统效率，凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多设计工程师在中低压功率转换中的首选解决方案。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：14A
　　导通电阻（典型值）：2.7mΩ
　　栅极电荷：19nC
　　输入电容：1200pF
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-263-3

特性

BUK9M85-60E具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻，有助于减少导通损耗并提升整体效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
　　3. 超高雪崩击穿能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
　　4. 具备ESD保护功能，可有效防止静电损坏。
　　5. 工作温度范围宽广，适应极端环境下的使用需求。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　这些特性使得BUK9M85-60E在多种工业和消费类电子设备中表现出色。

应用

BUK9M85-60E适用于以下应用场景：
　　1. 电机控制与驱动电路。
　　2. 各类DC-DC转换器和开关电源（SMPS）。
　　3. 电池管理系统中的负载开关。
　　4. 汽车电子领域中的电源管理和负载切换。
　　5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
　　由于其出色的电气特性和封装优势，这款MOSFET能够胜任多种高要求的应用场合。