时间：2025/6/3 23:33:27
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FV31N821J102EEG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为需要高效率和低损耗的应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，能够在高频开关应用中提供卓越的性能。
其主要特点是低导通电阻（Rds(on)），这使其非常适合用作功率开关或负载开关，同时能够显著降低功耗和提升系统效率。
型号：FV31N821J102EEG
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vdss)：80 V
最大栅源电压(Vgs)：±20 V
最大连续漏极电流(Id)：31 A
最大脉冲漏极电流(Ip)：93 A
导通电阻(Rds(on))：4.5 mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：48 nC (最大值)
总功耗(Ptot)：175 W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
FV31N821J102EEG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）以减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，支持高频工作场景。
4. 高可靠性设计，可承受极端温度条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
6. 良好的热性能，有助于延长器件寿命。
7. 紧凑的 D2PAK 封装，便于 PCB 布局设计。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率开关。
2. 电机驱动器中的功率级开关。
3. 太阳能逆变器和其他新能源系统的功率转换模块。
4. 工业设备中的负载开关。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
6. LED 驱动器和其他高效照明解决方案。
7. 通信基础设施中的 DC-DC 转换器。
FV31N80L, IRF3205, STP36NF06
