FV31N821J102EEG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为需要高效率和低损耗的应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,能够在高频开关应用中提供卓越的性能。
其主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这使其非常适合用作功率开关或负载开关,同时能够显著降低功耗和提升系统效率。
型号:FV31N821J102EEG
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vdss):80 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
最大连续漏极电流(Id):31 A
最大脉冲漏极电流(Ip):93 A
导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ (典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):48 nC (最大值)
总功耗(Ptot):175 W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
FV31N821J102EEG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))以减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
3. 快速开关速度,支持高频工作场景。
4. 高可靠性设计,可承受极端温度条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
6. 良好的热性能,有助于延长器件寿命。
7. 紧凑的 D2PAK 封装,便于 PCB 布局设计。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率开关。
2. 电机驱动器中的功率级开关。
3. 太阳能逆变器和其他新能源系统的功率转换模块。
4. 工业设备中的负载开关。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
6. LED 驱动器和其他高效照明解决方案。
7. 通信基础设施中的 DC-DC 转换器。
FV31N80L, IRF3205, STP36NF06