时间：2025/9/14 16:34:01
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BUK9M7R2-40EX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 Trench沟道技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特性，适用于多种电源管理和功率转换应用。BUK9M7R2-40EX 的设计使其能够在高电流和高频条件下稳定工作，同时减少功率损耗，提高系统效率。该器件封装在小型化的 LFPAK56（Power-SO8）封装中，具有良好的热性能和空间节省的优势。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：0.72mΩ（最大值，典型值）
功率耗散（PD）：120W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
BUK9M7R2-40EX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高能效。该器件采用了 NXP 的新一代 Trench MOS 技术，确保在高压和高电流工作条件下仍能保持稳定的性能。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保护自身免受损坏，从而提高系统的可靠性。
其 LFPAK56 封装形式是一种先进的表面贴装封装，具有优良的热传导性能，能够有效地将热量从芯片传导至 PCB（印刷电路板），从而提升器件在高功率应用中的散热能力。这种封装还支持双面冷却，进一步增强了热管理性能。
BUK9M7R2-40EX 还具有出色的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这一特性使其非常适合用于高要求的汽车电子、工业电源、直流-直流转换器和电机控制系统等领域。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的驱动电路进行控制，兼容性强，适用于多种功率驱动方案。
BUK9M7R2-40EX 广泛应用于需要高效功率管理的各类电子系统中。典型的应用领域包括汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）等；工业自动化与控制系统，如伺服驱动器、变频器和不间断电源（UPS）；以及高性能电源转换设备，如同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关等。
由于其低导通电阻和优异的热性能，该 MOSFET 在高电流应用中表现出色，尤其适合用于需要高效率和高可靠性的系统设计。例如，在电动车辆和混合动力汽车的电源系统中，BUK9M7R2-40EX 可用于主电源开关、电池隔离开关和功率逆变器等关键部位。
此外，该器件也常用于服务器电源、通信设备电源模块、LED 照明驱动器等高密度电源应用中，以提高系统效率并减小整体尺寸。
IPB041N04N、IRF150、IRF3710、STMW52N60M2、BUK9Y11-40E、BUK9J7R2-40H
