GA1812A561FXCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片具有出色的热性能和电气性能,适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和组装。
型号:GA1812A561FXCAR31G
类型:N-Channel MOSFET
电压等级(Vds):60V
电流(Id):140A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
栅极电荷(Qg):65nC
功耗(Pd):170W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GA1812A561FXCAR31G 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 优异的热稳定性,能够在极端温度条件下正常运行。
4. 内置静电防护功能,增强器件的抗干扰能力。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 支持大电流操作,适合高功率应用场景。
这些特点使 GA1812A561FXCAR31G 成为工业级和消费级应用的理想选择。
GA1812A561FXCAR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 家用电器中的节能设计。
由于其卓越的性能表现,这款 MOSFET 在需要高效功率转换和精确电流控制的应用中备受青睐。
IRFP2907, FDP5800, IXFN140N06T2