时间：2025/9/14 7:49:09
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BUK9M6R6-30EX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TrenchMOS技术制造。该器件适用于高效率、高功率密度的电源转换应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），这种封装提供了良好的散热能力和高可靠性，同时支持自动化装配和回流焊工艺。BUK9M6R6-30EX在汽车电子、工业电源、DC-DC转换器和负载开关等应用场景中具有广泛的应用前景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：30V
漏极-栅极电压（VDG）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：150A
连续漏极电流（ID）@100°C：90A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：6.2mΩ
导通电阻（RDS(on)@VGS=4.5V：9.2mΩ
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
BUK9M6R6-30EX具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）在10V VGS下仅为6.2mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，即使在较低的VGS电压（4.5V）下，其导通电阻仍保持在9.2mΩ的水平，这意味着该器件可以与低电压驱动电路兼容，适用于需要节能或低功耗设计的应用场景。
其次，该MOSFET具有高达150A的连续漏极电流能力（在25°C时），使其能够承受高负载电流，适用于大功率电源转换和电机控制等场合。同时，在高温环境下（100°C时）仍能提供90A的漏极电流，表明其具有良好的热稳定性和散热能力。
封装方面，BUK9M6R6-30EX采用LFPAK56（Power-SO8）封装，这是一种无引脚的表面贴装封装技术，具有优异的热传导性能和机械强度。相比传统TO-220或DPAK封装，LFPAK56封装更适用于自动化生产，提高了制造效率和可靠性。此外，该封装还具有较低的封装电阻和电感，有助于进一步降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适应广泛的工业和汽车应用环境。其栅极驱动电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，确保了驱动电路的安全性。由于采用了先进的TrenchMOS工艺，该MOSFET在导通和关断过程中表现优异，具有快速开关能力和较低的开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流等高效率应用。
综上所述，BUK9M6R6-30EX凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的封装散热性能和宽泛的工作温度范围，成为高性能功率转换应用的理想选择。
BUK9M6R6-30EX广泛应用于多个高性能电源管理系统和功率电子设备中。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等关键模块。由于其高可靠性和宽温度范围，非常适合在严苛的汽车环境中使用。
在工业电源领域，BUK9M6R6-30EX常用于服务器电源、通信电源、UPS（不间断电源）系统和工业自动化设备中的功率转换模块。其低导通电阻和高电流能力有助于提高电源效率，降低系统发热，从而延长设备使用寿命。
此外，该MOSFET还可用于大功率负载开关、电机驱动电路、LED照明驱动电源和储能系统等应用。在同步整流、多相电源和高频开关电源等高效率拓扑结构中，BUK9M6R6-30EX也表现出优异的性能，是提升系统效率和稳定性的关键元件。
IPD90N03S4-03, SQM150N3-30MP, BUK9Y6R6-30CE, BSC090N03MS
