时间：2025/9/14 21:18:56
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BUK9M42-60EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：200A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ（典型值）
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK9M42-60EX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力（高达200A）使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、电信设备和电动车充电系统。
此外，该MOSFET具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。其TO-263（D2PAK）封装形式支持表面贴装技术（SMT），提高了组装效率并增强了机械稳定性。
在驱动方面，BUK9M42-60EX 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。其栅源电压容限为 ±20V，确保在高噪声环境中也能可靠运行。
该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定，提高系统的可靠性和耐用性。
BUK9M42-60EX 主要应用于高功率密度的电源系统，包括服务器电源、电信整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和工业自动化设备中的功率开关电路。其高效率和高可靠性的特点使其在需要高效能功率管理的场合尤为适用。
此外，该MOSFET也可用于电动车充电模块、太阳能逆变器以及高功率LED照明系统等新兴应用领域。
SiS6280ADN-T1-GE3, IRFB4110PbF, IPB029N06N3 G
