时间：2025/9/14 18:05:08
阅读：9
BUK9M19-60EX是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）制造的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效功率转换应用设计。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，提供了卓越的导通电阻（Rds(on)）性能和开关特性。其额定电压为600V，连续漏极电流可达19A，适用于高功率密度和高效率的开关电源（SMPS）、电机控制、照明镇流器以及工业自动化系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：19A @ TC=100°C
导通电阻(Rds(on))：最大0.22Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Ptot)：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
BUK9M19-60EX具备多项优异的电气特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作条件下较低的导通损耗，提高了整体系统的能效。其次，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在恶劣工作环境中的可靠性和稳定性。此外，其快速开关特性（包括低栅极电荷Qg和低反向恢复电荷Qrr）有助于降低开关损耗，从而支持高频操作，适用于高频开关电源和电机控制应用。
该器件还具备良好的热稳定性，采用TO-220封装形式，能够有效散热，确保在高功率应用中长期稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围宽泛，支持标准10V驱动电压，也兼容常见的栅极驱动IC，简化了设计流程。BUK9M19-60EX符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保的要求。
BUK9M19-60EX广泛应用于多种功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用于PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器和反激式/正激式变换器，其高效率和低导通电阻特性可显著提升电源整体效率。此外，在电机驱动和逆变器系统中，它可用于构建H桥电路或三相逆变桥，实现高效电机控制。该器件也适用于LED照明驱动、电子镇流器、工业自动化控制电路以及各种高电压、中等功率的开关应用。由于其高可靠性，该MOSFET在家电控制、电动车充电系统以及太阳能逆变器中也有广泛应用。
STP19NM60ND, FQA19N60C, IRFGB40N60KD1
