时间：2025/9/14 16:54:49
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BUK9M120-100EX是一款由NXP Semiconductors（原飞利浦半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的功率开关应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：120 A
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5 mΩ @ VGS = 10 V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散（PD）：300 W
BUK9M120-100EX具备多项优良特性，使其在高性能功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高耐压能力（VDS = 100 V）使其适用于多种中高功率电路。此外，其大电流承载能力（ID = 120 A）确保在高负载条件下仍能稳定运行。
该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化组装流程。该封装形式还具备优良的散热性能，有助于提高器件在高功率工作时的可靠性。
BUK9M120-100EX支持宽范围的栅极驱动电压（±20 V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其快速开关特性减少了开关损耗，有助于提高高频应用中的效率。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的安全保障。
总体而言，BUK9M120-100EX以其高效率、高可靠性和优良的热性能，成为工业电源、电动汽车系统、电池管理系统（BMS）、电机控制和DC-DC转换器等应用的理想选择。
BUK9M120-100EX广泛应用于多种功率电子系统中。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和工业自动化设备。该器件的高效率和高可靠性使其在电动汽车、储能系统和高性能计算电源中也具有重要地位。
IRF1404Z, SiS434DN, BSC090N10NS5, IPB09CN10N
