时间：2025/5/20 16:00:35
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BSC027N04LS G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 TRENCHSTOP 技术，旨在提供低导通电阻和高开关效率。它通常用于需要高效功率转换的应用场景，如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等。此器件封装为 TO-Leadless（TOLL），具备良好的热性能和紧凑的尺寸。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：63A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：1050pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BSC027N04LS G 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），仅为 2.7mΩ，这使得它在高电流应用中能够显著降低功耗。
此外，它具有快速开关速度，栅极电荷较低，有助于减少开关损耗。
TRENCHSTOP 技术的应用提升了器件的鲁棒性和可靠性。
TO-Leadless 封装不仅提供了出色的散热能力，还减少了寄生电感，从而进一步优化了开关性能。
该器件还具有较高的雪崩击穿能力和短路耐受时间，使其能够在严苛条件下可靠运行。
BSC027N04LS G 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 电信设备中的负载开关
5. 工业自动化控制
6. 太阳能逆变器中的功率转换模块
由于其高效的功率处理能力和紧凑的封装形式，这款 MOSFET 非常适合空间受限且对效率要求较高的应用场景。
BSC028N04LS G, IRFZ44N, FDP067N04L
