时间：2025/9/14 16:20:44
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BUK9K5R1-30EX 是由 Nexperia（安世半导体）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于高功率密度设计。BUK9K5R1-30EX 采用无铅、符合 RoHS 标准的封装，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：5.1mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：Power-SO8
BUK9K5R1-30EX 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），典型值为 5.1mΩ，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件支持高达 100A 的连续漏极电流，适用于高电流负载应用。其先进的 Trench 技术确保了在低栅极电荷（Qg）下的优异性能，从而实现快速开关，降低开关损耗。
此外，BUK9K5R1-30EX 的栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平驱动，使得其能够轻松与常见的 PWM 控制器配合使用。该器件还具备出色的热稳定性，Power-SO8 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率运行时仍能保持较低的工作温度。
在可靠性方面，BUK9K5R1-30EX 设计有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作。同时，其符合 AEC-Q101 汽车级标准，适合用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）等。综合来看，BUK9K5R1-30EX 是一款适用于高性能电源设计的可靠选择。
BUK9K5R1-30EX 主要应用于高效率电源系统，包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其符合汽车电子标准，该器件也广泛用于汽车电源管理系统、电池管理系统（BMS）以及车载充电器等应用。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。
SiSS100DN, IPB013N06N3, BSC051N06NS5
