时间：2025/9/14 16:32:14
阅读：10
BUK9K52-60RAX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高性能的电源管理系统设计，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高电流处理能力的场合。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。此外，BUK9K52-60RAX采用符合RoHS标准的无铅封装，符合现代电子制造的环保要求。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：0.95mΩ（最大值，典型值0.75mΩ）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：PowerSO-10
功耗（Ptot）：120W
栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
输入电容（Ciss）：4000pF（典型值）
BUK9K52-60RAX具有多项先进的电气和热性能特性。
首先，其极低的导通电阻RDS(on)可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用场景。
其次，该器件采用先进的Trench沟槽技术，不仅提高了电流密度，还增强了器件的稳定性和可靠性。
其高栅极电荷（Qg）特性需要搭配适当的栅极驱动电路，以确保快速开关并减少开关损耗。
此外，其输入电容较低，有助于减少高频工作下的寄生效应，提高整体系统性能。
封装方面，PowerSO-10封装提供了良好的散热性能，同时保持较小的PCB占用空间，非常适合高密度电源设计。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高压尖峰环境下的稳定性和耐用性。
最后，其宽工作温度范围使其能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
BUK9K52-60RAX广泛应用于多个高功率、高效率要求的电子系统中。
在电源管理领域，它被用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统，特别是在电动工具、电动车辆（如电动车、电动滑板车）和储能系统中表现出色。
在工业自动化设备中，该MOSFET用于电机驱动、电源开关以及大电流控制电路，确保设备在高负载条件下稳定运行。
由于其优异的导通性能和热管理能力，它也常用于服务器电源、通信设备电源模块以及数据中心的高效电源解决方案。
此外，BUK9K52-60RAX还可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及工业电机控制电路中，提供可靠的高电流切换能力。
在汽车电子领域，该器件适用于车载充电器、起停系统、LED车灯驱动电路以及车载逆变器等应用。
IPB017N06N, BSC050N06LS, BUK9K56-60RAX
