BUK9K35-60E 时间：2025/6/14 11:29:07 阅读：3

BUK9K35-60E是Nexperia（原飞利浦半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，适用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。它具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等领域。
　　BUK9K35-60E的设计特别注重在高频开关应用中的性能表现，同时兼顾了热稳定性和电气可靠性。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：24A
　　导通电阻：13mΩ
　　栅极电荷：38nC
　　输入电容：1720pF
　　总功耗：15W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

BUK9K35-60E是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括：
　　1. 高电流处理能力，支持高达24A的连续漏极电流。
　　2. 极低的导通电阻（典型值为13mΩ），可以显著降低传导损耗。
　　3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷（38nC），使其适合高频应用。
　　4. 小型化封装设计，采用标准DPAK封装形式，便于安装和散热。
　　5. 宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的使用需求。
　　6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
　　该器件能够提供卓越的效率和稳定性，非常适合于各种高要求的工业及消费类电子设备中。

应用

BUK9K35-60E适用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关元件。
　　2. DC-DC转换器的核心开关元件，用于提升效率和减少热量产生。
　　3. 各类电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。
　　4. 负载开关，用以实现对不同负载的有效管理和保护。
　　5. 电池管理系统中的充放电控制电路。
　　6. 工业自动化设备中的信号放大与传输环节。
　　由于其优异的性能指标和可靠性，BUK9K35-60E成为众多工程师在设计相关产品时的理想选择。