时间：2025/9/14 21:54:59
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BUK9K25-40EX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于高效率电源转换和功率管理应用。BUK9K25-40EX采用小型化封装（如LFPAK56），便于在空间受限的设计中使用，同时具备高耐用性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：25A
最大漏源电压（VDS）：40V
导通电阻（Rds(on)）：最大10mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：最大±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56（双侧散热）
BUK9K25-40EX 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使其在高电流应用中具有极低的传导损耗，从而提高整体系统效率。该器件的Rds(on)典型值仅为8mΩ，在VGS=10V时可承载高达25A的漏极电流。此外，BUK9K25-40EX具备优异的热性能，得益于其LFPAK56封装结构，该封装支持双侧散热，有效降低了热阻（Rth）并提高了功率密度。
另一个关键特性是其高可靠性与耐用性。该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，适用于电机控制、电源开关等可能出现高电压瞬态的场合。此外，其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅极电压，提高了抗过压能力，降低了误触发的风险。
该器件的封装形式LFPAK56是一种无引脚的表面贴装封装，具有优异的机械强度和焊接可靠性，适合自动化装配工艺。同时，其紧凑的尺寸（约5mm x 6mm）使其适用于空间受限的设计，如笔记本电脑电源适配器、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。
BUK9K25-40EX 主要应用于高效能电源管理系统和功率电子设备中。其典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具驱动器、工业电机控制、汽车电子系统（如车载充电器和起停系统）以及服务器和通信设备的电源模块。由于其低导通电阻和优异的热性能，该MOSFET特别适用于需要高效率和高可靠性的中高功率应用场景。
IPD90N06S4-03, FDS6680, SiSS64DN, AO4407A, BUK9K50-40E
