容量：8 Mbit (1M x 8)
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55 ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行异步接口
　　读取电流：最大 20 mA
　　待机电流：最大 10 μA
　　擦写周期：100,000 次
　　数据保存时间：10 年

LH28F800BGHE-BL85 采用先进的 CMOS 技术，具备低功耗和高性能的特点，能够在宽电压范围内稳定工作，适应多种电源设计需求。其并行异步接口使得数据访问速度较快，适用于需要快速读取操作的应用。此外，该芯片支持硬件写保护功能，可以防止误擦除或误写入，提高数据的安全性和可靠性。其擦写次数高达 100,000 次，数据可保存长达 10 年，满足大多数工业和消费类应用的需求。芯片还内置了多种错误检测和纠正机制，提高了存储数据的完整性和稳定性。LH28F800BGHE-BL85 还支持多种软件算法，例如扇区擦除、块擦除和字节写入，提供了灵活的编程方式，便于系统开发和维护。
　　该芯片的封装形式为 TSOP（薄型小外形封装），便于在空间受限的 PCB 设计中使用。同时，其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于较为恶劣的工业环境。Intel 为该系列芯片提供了完善的技术支持和文档，包括数据手册、应用笔记和软件开发工具，有助于加快产品开发周期。此外，LH28F800BGHE-BL85 还具备自动休眠功能，在没有访问操作时自动进入低功耗模式，从而进一步降低系统功耗，适合用于电池供电设备或对能效要求较高的系统。

LH28F800BGHE-BL85 广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费电子产品以及汽车电子系统中。其主要用途包括固件存储、程序代码存储、配置数据存储等。由于其具备较高的稳定性和耐用性，特别适合用于需要长期运行或工作在复杂环境中的设备，如工业自动化设备、智能仪表、路由器、交换机、智能家电以及车载控制系统等。该芯片的高性能读取能力也使其适用于需要频繁访问存储内容的应用，例如固件升级、数据日志记录等场景。

LH28F800BEHE-BL85, LH28F160BEHE-BL85