时间：2025/9/14 11:26:54
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BUK9K13-60RAX是一款由Nexperia（原飞利浦半导体业务分拆出来的公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件专为高效率、高功率密度的电源应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。它采用TISON（TrenchShield?沟槽技术）来优化开关性能和导通损耗，使其适用于诸如DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及负载开关等场景。BUK9K13-60RAX采用小型化的LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，具有出色的散热能力，同时支持双面散热，非常适合空间受限和高可靠性要求的应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：150A（在25°C时）
导通电阻(RDS(on))：最大6.8mΩ（在VGS=10V时）
最大功耗(Ptot)：100W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
BUK9K13-60RAX MOSFET采用了Nexperia先进的TrenchShield?技术，使得其在保持低导通电阻的同时，还能提供出色的开关性能。其RDS(on)值低至6.8mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体能效。此外，该器件的封装设计（LFPAK56）不仅体积小巧，而且具备优异的热管理能力，能够有效散发工作过程中产生的热量。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了在极端工况下的可靠性。由于其栅极电荷（Qg）较低，BUK9K13-60RAX在高频开关应用中表现优异，有助于减少开关损耗。此外，该器件的封装还支持双面散热，使得其在高功率密度设计中更具优势。
BUK9K13-60RAX还具有良好的热稳定性，能够在高达175°C的结温下稳定工作，适合在高温环境下运行。其高可靠性和紧凑的设计使其成为车载电子、工业自动化、服务器电源、电池管理系统（BMS）和高效率电源转换器等应用的理想选择。
BUK9K13-60RAX广泛应用于各种高功率、高效率的电源系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器和通信设备的电源模块、车载充电系统以及工业自动化控制系统等。
在汽车电子领域，该器件适用于车载逆变器、电池保护电路和电动助力转向系统（EPS）等关键应用。在工业电源系统中，BUK9K13-60RAX可以用于构建高效率的多相电源转换系统，以满足对高电流输出和低损耗的严格要求。此外，其优异的热管理和紧凑的封装也使其成为便携式高功率设备中的理想功率开关元件。
BUK9K16-60RAX, BUK9K25-60RAX, BUK9K40-60RAX
