时间：2025/9/14 19:04:35
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BUK9K13-60EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效能的电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统。BUK9K13-60EX 采用了先进的 TrenchMOS 技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的热性能，使其在高电流和高频率工作条件下表现出色。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：13A
导通电阻（Rds(on)）：13mΩ @ Vgs=10V
功耗（Ptot）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
BUK9K13-60EX 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下的 Rds(on) 仅为 13mΩ，确保了在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，其封装设计支持有效的散热管理，确保在高功率密度应用中的可靠性。TO-220AB 封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导性能。
BUK9K13-60EX 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高整体系统效率。其栅极电荷（Qg）较低，支持快速的开关过渡，同时降低了驱动电路的复杂性。
该器件还具备过热保护和过流保护功能，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适合在恶劣环境中使用。
BUK9K13-60EX 主要用于各种功率电子系统中，包括开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换应用。
在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载娱乐系统的电源管理模块。其宽工作温度范围和高热稳定性使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
工业自动化和控制系统中也广泛使用 BUK9K13-60EX，例如用于伺服电机控制、工业电源模块以及不间断电源（UPS）系统。其快速开关能力和低功耗特性有助于提高系统整体能效和响应速度。
此外，该器件还可用于消费类电子产品中的高效能电源管理模块，如笔记本电脑适配器、智能电源插座和高功率 LED 驱动器等。
IPB013N06N3 G, STD13NM60N, FDPF13N60FS
