时间：2025/9/14 6:13:04
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BUK9K13-40HX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于广泛的电源管理和功率转换场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
漏极电流(Id)：130A
导通电阻(Rds(on))：3.7mΩ
栅极电荷(Qg)：64nC
封装类型：PowerSO-10
BUK9K13-40HX具有多项优异的电气和热性能，能够满足高功率密度设计的需求。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，提高了系统的整体效率。
此外，该MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，进一步优化了开关性能，减少了开关损耗。栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路的设计更加简单，同时减少了驱动功率需求。
该器件的封装形式为PowerSO-10，这种封装不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力，能够有效散热，确保器件在高负载条件下的稳定运行。
BUK9K13-40HX还具有优异的耐用性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中长时间运行，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
这款MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统等。由于其优异的性能，它也常用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车（EV）充电系统和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中。
在汽车电子领域，BUK9K13-40HX可用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）等关键部件。其高可靠性和热稳定性使其成为汽车应用的理想选择。
此外，在消费类电子产品中，该器件可用于高性能电源管理模块，以提高能效和减少发热。
SiSS130L, IRF130, BUK9K14-40H
