时间：2025/9/14 15:20:30
阅读：4
BUK9E08-55B,127 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的 Trench 场效应技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：55V
最大漏极电流 (Id)：140A
导通电阻 (Rds(on))：8mΩ（典型值）
栅极电荷 (Qg)：125nC（典型值）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
BUK9E08-55B,127 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on) 仅为 8mΩ），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其高电流承载能力（高达 140A）使其非常适合用于高功率应用。
该器件采用了先进的 Trench MOSFET 技术，具有优异的开关性能和良好的热稳定性。其栅极电荷（Qg）仅为 125nC，使得开关过程中的能量损耗更低，适用于高频开关电路。
在封装方面，BUK9E08-55B,127 采用 TO-263（D2PAK）封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，广泛应用于现代电源模块设计。
此外，该 MOSFET 具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），可在各种恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子、服务器电源等对可靠性要求较高的应用场景。
BUK9E08-55B,127 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 直流-直流（DC-DC）转换器：由于其低导通电阻和高效率特性，适用于同步整流器、降压（Buck）和升压（Boost）转换器等拓扑结构。
2. 电源管理系统：用于负载开关、电源分配系统以及电池管理系统中的高电流开关控制。
3. 电机驱动和功率放大器：适用于工业自动化设备中的电机控制模块，提供高效率的功率输出。
4. 汽车电子：用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器（OBC）等汽车应用。
5. 服务器和通信电源：作为高性能电源转换模块的核心元件，支持高密度、高效率的电源设计。
IRF1405, STP150N55F3AG, IPW90R120C3
