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BUK9875-100A/CU 发布时间 时间:2025/9/14 21:25:40 查看 阅读:3

BUK9875-100A/CU 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,适用于诸如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理等场景。BUK9875-100A/CU采用标准的TO-220AB封装形式,便于散热和集成。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):75A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):最大值为4.3毫欧(在Vgs=10V条件下)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):典型值为2.9V(范围为2.0V至4.0V)
  最大栅极电压(Vgs):±20V
  最大功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220AB

特性

BUK9875-100A/CU 的核心优势在于其卓越的导通性能和高可靠性。其低导通电阻(Rds(on))使得在导通状态下功率损耗极低,从而提高了整体系统的效率。该器件的高耐压能力(100V)使其能够在较宽的输入电压范围内工作,适用于多种电源管理应用。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。
  该MOSFET采用了先进的沟槽式技术,优化了导通电阻和开关性能之间的平衡,从而在高频开关应用中表现出色。其高电流承载能力(75A)和耐受高能脉冲的能力使其非常适合用于高功率密度的设计。此外,TO-220AB封装提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下也能维持较低的结温,延长器件寿命。
  该器件还具备优异的雪崩能量承受能力,能够有效防止在开关过程中因电压尖峰而造成的损坏。这使得BUK9875-100A/CU在电机驱动、DC-DC转换器和电池管理系统等高要求应用中表现出色。

应用

BUK9875-100A/CU 适用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。其主要应用包括:
  1. **DC-DC转换器**:由于其低导通电阻和高效率,非常适合用于同步整流和功率转换电路中。
  2. **电机控制**:在电动工具、工业自动化和机器人系统中,用于控制电机的启停和调速。
  3. **电源管理系统**:作为高侧或低侧开关,用于电池供电设备的电源管理电路中。
  4. **负载开关**:在需要高可靠性和低损耗的开关电路中使用,如服务器、通信设备和工业控制系统。
  5. **逆变器和UPS系统**:用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中的功率开关元件。

替代型号

IPW90R120I3S, STD100N10F7, FDP085N10A

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