时间：2025/5/7 9:11:07
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DMP2104V是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用小尺寸DFN3020-8封装形式。该器件适用于低电压和低导通电阻的应用场景，具有出色的开关性能和较小的封装体积，非常适合便携式设备和空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻：75mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
总功耗：420mW
结温范围：-55℃至150℃
DMP2104V采用了先进的工艺技术制造，具备以下特点：
1. 超低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 小型DFN3020-8封装，节省PCB空间且便于安装。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 提供良好的热稳定性和电气性能。
5. 高输入阻抗，简化驱动电路设计。
6. 支持表面贴装技术（SMT），提升生产自动化程度。
该器件广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 移动设备中的负载开关控制。
2. 消费类电子产品的电源管理模块。
3. USB充电端口保护及切换。
4. LED背光驱动电路。
5. 各种电池供电设备中的电源转换与控制。
DMP2006U,DMP2008U
