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BUK98150-55A/CUF 发布时间 时间:2025/5/19 11:52:22 查看 阅读:4

BUK98150-55A/CUF是Nexperia公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-263-3封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。其出色的性能使其成为高效能功率转换的理想选择。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.7mΩ
  栅极电荷:140nC
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

BUK98150-55A/CUF具有非常低的导通电阻,能够显著减少传导损耗,提高整体效率。此外,该器件具备快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于降低开关损耗。
  该MOSFET还具有强大的雪崩耐量和热稳定性,能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。其优化的封装设计提高了散热性能,进一步增强了器件的耐用性和可靠性。

应用

该功率消费类电子产品中的功率转换和管理应用。具体包括但不限于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、电信电源和汽车电子系统等。
  在这些应用中,BUK98150-55A/CUF凭借其高效率和高可靠性,可以满足严格的性能要求,并为设计者提供灵活的设计选项。

替代型号

IRLR7843PBF, FDP5570NL

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BUK98150-55A/CUF参数

  • 现有数量67,521现货
  • 价格1 : ¥4.29000剪切带(CT)4,000 : ¥1.52157卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)137 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5.3 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)320 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA