型号：FM15BF-6
　　制造商：富满微电子（FMEX）
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.8A（@TC=70℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：约28mΩ（@VGS=10V），约35mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值12nC（@VDS=50V, ID=1.5A）
　　输入电容（Ciss）：约350pF
　　输出电容（Coss）：约150pF
　　反向恢复时间（trr）：极短（体二极管优化设计）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23-6 或兼容小型贴片封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）

FM15BF-6采用先进的沟槽型MOSFET结构，具备极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时可低至28mΩ，有效减少导通状态下的功率损耗，提升电源系统的转换效率。这一特性使其特别适合用于低电压、大电流输出的同步整流拓扑中，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）及LLC谐振变换器等。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值为12nC，有助于降低驱动损耗并提高开关速度，从而支持更高频率的工作模式，减小外围磁性元件的体积，实现电源系统的小型化和轻量化。
　　该MOSFET的体二极管经过优化设计，具有极短的反向恢复时间（trr）和较小的反向恢复电荷（Qrr），大幅降低了在硬开关或准谐振应用中因二极管反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和稳定性。此外，低栅极阈值电压（1.0V~2.5V）使得FM15BF-6能够兼容低压逻辑信号驱动，适用于集成控制器或专用同步整流IC直接驱动的应用场景。
　　FM15BF-6采用SOT-23-6等小型化封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产，满足现代电子产品对高密度组装的需求。其工作结温可达+150℃，确保在高温环境下仍能稳定运行，适用于各种严苛工况。器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，广泛应用于各类节能型电源产品中。

FM15BF-6主要应用于各类开关电源中的同步整流电路，特别是在低输出电压、高效率要求的AC-DC适配器和充电器中表现优异，例如手机充电器、笔记本电脑电源、USB PD电源模块等。在反激式电源拓扑中，该器件可作为次级侧同步整流管使用，替代传统的肖特基二极管，显著降低导通压降和发热，提升整体效率，尤其在轻载和满载条件下均能保持较高的能效水平，满足能源之星、CoC等国际能效标准。
　　此外，FM15BF-6也适用于DC-DC降压或升降压转换器中的功率开关元件，可用于便携式设备、智能家居控制板、工业传感器供电模块等场合。由于其小型封装和高集成度特点，常被用于空间受限的高密度PCB布局设计中，如超薄电视电源板、LED驱动电源、无线充电发射端电源管理单元等。
　　在一些集成同步整流控制器的电源方案中，FM15BF-6可与专用SR控制芯片配合使用，实现精准的导通与关断时序控制，避免误触发和交叉导通现象，进一步提升系统效率与安全性。其优异的热稳定性和抗冲击能力也使其适用于车载电子、工业自动化设备等对可靠性要求较高的领域。

AP2301GN-HF
　　Si2301ADS-T1-E3
　　DMG2301U