时间：2025/9/14 12:00:35
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BUK98150-55/CU 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用而设计，具有优异的导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力。其采用TrenchFET技术，确保在高频率开关条件下仍能保持良好的能效。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK98150-55/CU MOSFET具备多项优越特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为5.5mΩ，有助于显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件采用先进的TrenchFET技术，使得在高电流条件下仍能保持良好的稳定性和较低的开关损耗。
此外，该MOSFET支持高达150A的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。其封装形式为TO-263（D2PAK），提供良好的热管理和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
该器件的工作温度范围宽广，从-55°C至+175°C，可在极端环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的MOSFET驱动电路，同时具备较高的抗静电能力和过载保护性能。
BUK98150-55/CU 主要应用于需要高电流和低导通损耗的功率系统中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、服务器电源和工业自动化控制系统等。
由于其高可靠性和宽温度范围，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池保护电路中。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也能提供高效的功率控制解决方案。
此外，该器件的高效率特性使其成为高密度电源模块和服务器电源设计的理想选择，有助于提升整体系统的能效和稳定性。
Si7456DP, IRF150, BSC090N08NS5, BUK98156-55A
