BUK967555 时间：2025/12/27 18:32:51 阅读：20

BUK967555是NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能TrenchMOS低压场效应晶体管（MOSFET），采用先进的沟槽式技术制造，专为高效率、低损耗的功率开关应用而设计。该器件属于NXP的NextPower系列，以极低的导通电阻和优化的栅极电荷特性著称，适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理场景。BUK967555是一款N沟道增强型MOSFET，通常封装在LFPAK（也称为Power-SO8）封装中，具有优良的热性能和电流承载能力，适合表面贴装工艺，广泛用于汽车电子、工业控制、DC-DC转换器以及负载开关等应用领域。
　　该器件的设计重点在于降低系统功耗和提升能量转换效率，其低RDS(on)值显著减少了导通状态下的功率损耗，有助于提高整体系统能效并减少散热需求。此外，BUK967555具备良好的抗雪崩能力和稳健的可靠性，符合AEC-Q101汽车级认证标准，确保在严苛工作环境下的长期稳定运行。其引脚兼容市场上主流的SO-8封装MOSFET，便于设计替换与升级，同时LFPAK封装提供了比传统TO-252或DPAK封装更优的热阻表现，提升了功率密度。

参数

型号：BUK967555
　　制造商：NXP Semiconductors
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：220 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.75 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 110 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.95 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 110 A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　栅极电荷（Qg typ）：130 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss typ）：11500 pF
　　功率耗散（Ptot）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：LFPAK (Power-SO8)

特性

BUK967555的核心特性之一是其超低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = 10 V条件下，最大RDS(on)仅为0.75 mΩ，这使得它在大电流应用场景中表现出色，能够显著降低导通损耗，提升系统效率。这一特性尤其适用于高电流密度的电源设计，如服务器电源、电动工具和电动汽车的辅助电源系统。其低RDS(on)得益于NXP先进的TrenchMOS工艺和优化的芯片结构设计，能够在保持小尺寸的同时实现优异的电气性能。
　　另一个关键特性是其出色的热性能和封装设计。BUK967555采用LFPAK封装，这是一种无引线、双侧散热的表面贴装封装，相较于传统的DPAK或SO-8封装，具有更低的热阻（典型Rth(j-c)约为0.6 °C/W），能够更有效地将热量从芯片传导至PCB，从而支持更高的持续电流输出而不至于过热。这种封装还增强了机械稳定性，并提高了抗振动能力，特别适合汽车和工业环境中的应用。
　　该器件还具备低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗，有助于提升DC-DC转换器的工作频率和效率。同时，其栅极阈值电压适中，兼容标准逻辑电平驱动信号，可直接由控制器或驱动IC驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。此外，BUK967555通过了AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面均满足汽车级可靠性要求，适用于车载充电器、车身控制模块、电机驱动等对可靠性要求极高的场合。

应用

BUK967555广泛应用于需要高效率和高电流处理能力的功率电子系统中。在汽车电子领域，它常用于车载DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动座椅和车窗升降器的电机驱动电路，以及LED照明电源模块。其AEC-Q101认证和宽工作温度范围使其成为汽车应用的理想选择。
　　在工业控制方面，该器件适用于工业电源、PLC（可编程逻辑控制器）输出驱动、伺服电机控制和不间断电源（UPS）系统。由于其低导通电阻和高电流能力，BUK967555可在高负载条件下长时间稳定运行，减少发热问题。
　　通信基础设施中，该MOSFET可用于基站电源、服务器主板上的POL（Point-of-Load）转换器，以及热插拔电源管理模块。其快速开关特性和低损耗有助于提升数据中心电源系统的整体能效。
　　此外，在消费类电子产品中，如高端笔记本电脑、游戏主机和大功率USB PD充电器中，BUK967555也可作为同步整流开关或负载开关使用，提供高效的能量传输路径。其LFPAK封装的小尺寸和良好散热特性也适合空间受限的应用场景。