时间：2025/9/15 2:57:20
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PDTA143ZU 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率管理和开关应用。这款MOSFET具有高耐压和低导通电阻的特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA（最大）
导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-323（SC-70）
PDTA143ZU 具备一系列出色的电气特性，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。其低导通电阻特性可以有效减少导通损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性设计，同时具备良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能正常运行。该MOSFET采用小型SOT-323封装，非常适合空间受限的应用场景，例如便携式电子设备和嵌入式系统。此外，该器件的开关速度较快，能够适应高频工作条件，适用于电源管理和信号切换应用。其高耐压能力确保在高压脉冲或电压波动环境下，器件仍能保持稳定工作。PDTA143ZU 还具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于工业自动化、消费类电子和汽车电子等领域的多种应用场景。
PDTA143ZU 主要应用于低功率开关电路、负载开关、电池管理系统、LED驱动电路、DC-DC转换器、便携式设备电源管理以及信号路由控制等场景。由于其小型封装和高性能特性，它也常用于工业控制设备和汽车电子系统中的低功耗电路设计。
PDTA143EZ, 2N7002, FDV301N, BSS138
