时间：2025/9/14 15:31:12
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BUK965R4-40E,118是一款由NXP Semiconductors（原Philips）制造的高性能N沟道MOSFET功率晶体管。该器件设计用于高电流、高效率的功率应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频率下稳定工作，适用于DC/DC转换器、电源管理、电机控制以及电池供电系统等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：150A
导通电阻(Rds(on))：0.95mΩ（典型值）
功耗(Pd)：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK965R4-40E,118采用了先进的TrenchMOS技术，提供极低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。该器件具有出色的热稳定性和高电流承载能力，能够适应严苛的工作环境。其TO-263（D2PAK）表面贴装封装设计不仅提供了良好的散热性能，还支持自动化生产流程，增强了产品的可靠性和可制造性。
此外，该MOSFET具有较高的栅极绝缘强度，能够承受±20V的栅源电压，避免因栅极过电压而导致的器件损坏。内置的雪崩能量保护功能增强了器件在瞬态电压冲击下的鲁棒性，适用于需要频繁开关操作的高应力应用。同时，该元件具备较高的短路耐受能力，确保在异常工作条件下依然保持稳定运行。
BUK965R4-40E,118广泛应用于各种功率电子系统中，包括DC/DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动、电源模块、服务器和电信设备电源供应等。由于其高效率和高可靠性，特别适用于需要高电流能力和高能效的工业、汽车及消费类电子产品中。例如，在汽车电子系统中，它可以用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及48V轻混动力系统的功率转换模块中。在工业自动化控制设备中，该器件可作为高边或低边开关，实现对高功率负载的高效控制。
IRF1404, STP150N4F3LL, BSC050N04LS
