时间：2025/9/14 10:57:11
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BUK964R2-80E是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，广泛用于汽车电子、工业控制、电源管理和DC-DC转换器等领域。BUK964R2-80E采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：170A（@Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ（典型值，@VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK964R2-80E具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的应用场景。
首先，其导通电阻（RDS(on)）非常低，仅为4.2mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这种低RDS(on)特性在高电流应用中尤为重要，能够有效减少功率损耗和发热。
其次，该MOSFET的最大漏极电流可达170A，支持高负载工作条件，适用于需要大电流能力的电源系统和电机控制应用。
此外，BUK964R2-80E采用TO-263（D2PAK）封装，具有优良的散热性能，能够有效地将热量传导到PCB上，从而提高器件的热稳定性和可靠性。该封装还支持表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产和高密度布局。
该器件的栅极驱动电压范围为10V至20V，具有良好的栅极稳定性，适用于多种驱动电路设计。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度。
在可靠性方面，BUK964R2-80E具备良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，适用于高应力环境下的应用。
BUK964R2-80E广泛应用于多个领域，主要包括：
1. **汽车电子**：用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统、DC-DC转换器、车载充电器等，其高电流能力和低导通电阻特性非常适合高功率汽车电源系统。
2. **工业电源**：适用于工业级开关电源（SMPS）、服务器电源、UPS不间断电源等，能够提供高效率和稳定的电源转换能力。
3. **电机控制**：在电机驱动器和变频器中作为功率开关，其高电流承载能力和快速开关特性有助于提高电机控制效率。
4. **DC-DC转换器**：在高功率密度DC-DC转换模块中，用于提高转换效率和减小系统体积。
5. **LED照明**：在大功率LED驱动电路中，提供稳定的电流控制和高效能转换。
6. **太阳能逆变器和储能系统**：用于光伏逆变器和储能系统的功率转换部分，支持高效率的能量转换和管理。
IPB015N08N3 G,NDS8410,FDMS86180
