BUK9635-55A是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的工艺技术设计,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。适用于需要高效功率转换的应用场景,如电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:40A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:71nC
输入电容:2840pF
结温范围:-55℃ 至 175℃
BUK9635-55A采用了优化的硅片设计,实现了超低的导通电阻和栅极电荷,从而提高了效率并降低了功率损耗。
其快速开关特性使得它非常适合高频应用,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
封装形式为TO-263-3(DPAK),有助于简化电路设计并提供优异的散热性能。
此外,该器件符合RoHS标准,并通过了严格的测试以确保在各种恶劣环境下的稳定运行。
BUK9635-55A广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 工业自动化设备中的电机控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 高效DC-DC转换器的核心组件。
5. 电池管理系统中的保护开关。
6. 各种便携式电子产品中的电源管理单元。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5500
IXFK40N55T
BUK9N2R5-40AA