BUK962R8-30B,118是一款由NXP Semiconductors(原Philips)生产的高性能N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件专为高效率电源管理应用设计,具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性。该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种中高功率电子设备。BUK962R8-30B采用先进的TrenchMOS技术制造,提供了优异的导通和开关性能,同时具备良好的耐用性和可靠性,适用于工业和汽车电子等多种应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):150A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):2.8mΩ(最大值)
封装类型:TO-220
功率耗散(Ptot):100W
工作温度范围:-55°C至+175°C
BUK962R8-30B,118具有多项优异的电气和物理特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))仅为2.8mΩ,显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。其次,该器件具备高电流承载能力,连续漏极电流可达150A,在高功率应用中表现出色。此外,该MOSFET采用TrenchMOS技术,具有良好的开关性能,减少了开关损耗并提高了响应速度。
在热管理方面,BUK962R8-30B具有出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于严苛的工业和汽车应用环境。其TO-220封装形式不仅具备良好的散热性能,还便于安装和集成到各种电路板中。
该MOSFET还具备较强的抗过载和短路能力,能够在突发故障条件下保持稳定运行,提高了系统的可靠性和安全性。此外,其宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C)使其适用于极端环境条件下的电子系统。
BUK962R8-30B,118广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池充电器和管理系统(BMS)、工业自动化设备、服务器电源模块以及汽车电子系统中的高边和低边开关。由于其高电流能力和低导通损耗,该器件特别适合用于高效率、高密度的电源设计,如通信设备电源、LED照明驱动器以及便携式设备的电源管理模块。
IRF1404, SiS436CDT, BSC010N03MS, BUK951R8-30A