时间：2025/9/14 15:10:48
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BUK9615-100E 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchMOS 技术制造。该器件具有低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换和功率管理应用。BUK9615-100E 采用 D2PAK（TO-263）封装，便于散热和高电流承载能力。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100 V
最大漏极电流（ID）：70 A
导通电阻（RDS(on)）：15 mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：180 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
BUK9615-100E 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，其导通电阻仅为 15 mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。在高电流应用中，低 RDS(on) 可以显著减少功率损耗和发热，提升整体系统可靠性。
其次，该器件采用了 Nexperia 的 TrenchMOS 技术，实现了更高的功率密度和更小的芯片尺寸，从而在有限的空间内提供更高的性能。TrenchMOS 结构还优化了开关性能，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
此外，BUK9615-100E 具有较高的最大工作温度（175°C），确保其在高温环境下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。该器件的 D2PAK 封装设计有助于良好的散热性能，可直接安装在 PCB 上，无需额外散热片，简化了设计并降低了成本。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽泛，适用于常见的 10V 栅极驱动电路，同时具备良好的抗雪崩能力和过载能力，增强了器件的耐用性和安全性。
BUK9615-100E 广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统、负载开关以及汽车电子等。
在电源管理方面，该器件常用于同步整流、负载开关和功率因数校正（PFC）电路，其低导通电阻和高效率特性使其成为高功率密度电源设计的理想选择。
在电机控制和电机驱动应用中，BUK9615-100E 可作为 H 桥结构中的开关器件，提供高电流能力和低功耗，确保电机运行稳定。
由于其优异的热性能和可靠性，BUK9615-100E 也常用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换模块和电池管理系统（BMS），满足汽车行业的严格要求。
此外，该 MOSFET 还适用于工业自动化设备、服务器电源、UPS（不间断电源）和储能系统等高性能功率转换场合。
BUK9618-100E, BUK9614-100E, IPW90R150P7S, SiR178DP
