时间：2025/9/14 3:04:03
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BUK9615-100E,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的开关应用而设计，适用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电系统以及电机控制等场景。其采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，能够在高频率下工作，同时减少开关损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A（@Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
引脚数：3
安装类型：表面贴装
技术：Trench MOSFET
BUK9615-100E,118 的核心特性之一是其极低的导通电阻，仅为1.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，该MOSFET采用先进的Trench技术，确保了优异的开关性能，能够在高频条件下稳定工作，从而支持更小尺寸的电感和电容设计，提高整体系统的功率密度。
该器件具有高达80A的连续漏极电流能力，适合高功率应用场景。其封装形式为TO-263（D2PAK），提供良好的热管理性能，便于散热设计，并支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
在可靠性方面，BUK9615-100E,118 支持宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），确保在极端环境条件下仍能保持稳定运行。栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，便于集成到各种电源系统中。
该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过电压情况下的鲁棒性。此外，其快速恢复特性有助于减少开关损耗，提升整体系统效率。
BUK9615-100E,118 广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（如电动车、电动工具）、负载开关、电机控制电路、工业自动化设备以及服务器和通信设备的电源模块。
在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于高频率PWM控制电路。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，确保系统的稳定性和安全性。
此外，该MOSFET也可用于高电流负载开关，如电源分配系统、热插拔电路以及智能电源管理模块，为系统提供快速、可靠的开关控制。
IRF1405, STD100N10F7, IPB075N10N3, SiR142DP
