您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NSS1C201LT1G

NSS1C201LT1G 发布时间 时间:2025/6/6 0:52:27 查看 阅读:25

NSS1C201LT1G是一款由安森美(onsemi)生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适用于空间受限的设计。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于便携式电子设备、消费类电子产品、电信设备以及工业控制中的负载开关、DC-DC转换器、电池管理和其他功率管理应用。
  这款MOSFET具有极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下能够显著降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:2.6A
  导通电阻(Rds(on)):125mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:6nC
  总电容(Ciss):22pF
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 采用SOT-23封装,体积小,适合高密度电路板设计。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提升整体效率。
  3. 高速开关能力,支持高频应用如开关电源和DC-DC转换器。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性能。
  5. 支持逻辑电平驱动,兼容3.3V和5V逻辑系统,简化了驱动电路设计。
  6. 良好的热稳定性,能有效应对高功率场景。
  7. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  2. 消费类电子产品的电源管理模块。
  3. DC-DC转换器中的同步整流开关。
  4. 电池保护电路及充电管理。
  5. 电信设备中的信号调节与功率分配。
  6. 各种工业控制中的小型化功率开关应用。

替代型号

NTMS2190NT1G, AO3400A

NSS1C201LT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NSS1C201LT1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NSS1C201LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大490mW
  • 频率 - 转换110MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NSS1C201LT1G-NDNSS1C201LT1GOSTR