时间：2025/6/6 0:52:27
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NSS1C201LT1G是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装，适用于空间受限的设计。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于便携式电子设备、消费类电子产品、电信设备以及工业控制中的负载开关、DC-DC转换器、电池管理和其他功率管理应用。
这款MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下能够显著降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（Rds(on)）：125mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：6nC
总电容（Ciss）：22pF
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 采用SOT-23封装，体积小，适合高密度电路板设计。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提升整体效率。
3. 高速开关能力，支持高频应用如开关电源和DC-DC转换器。
4. 较宽的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性能。
5. 支持逻辑电平驱动，兼容3.3V和5V逻辑系统，简化了驱动电路设计。
6. 良好的热稳定性，能有效应对高功率场景。
7. 符合RoHS标准，环保且可靠。
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. 消费类电子产品的电源管理模块。
3. DC-DC转换器中的同步整流开关。
4. 电池保护电路及充电管理。
5. 电信设备中的信号调节与功率分配。
6. 各种工业控制中的小型化功率开关应用。
NTMS2190NT1G, AO3400A
